| 型号：NP55N055SUG-E1-AY | 类别：FET - 单 | 制造商：Renesas Electronics America |
| 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 描述：MOSFET N-CH 55V 55A TO-252 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 55A TO-252 |
| 系列 | - |
| 制造商 | Renesas Electronics America |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 55A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 10 毫欧 @ 28A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | - |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 90nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 5250pF @ 25V |
| 功率_最大 | 1.2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
| 深圳市嘉万骏科技有限公司 | 林小姐0755*83682918 |
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
| 深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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- P1168.683NLT
固定式
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非标准
INDUCTOR PWR SHIELD 68UH SMD
- NSBC123JF3T5G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
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SOT-1123
TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
- NOJD477M002RWJ
氧化铌
AVX Corporation
2917（7343 公制）
CAP NIOB OXIDE 470UF 2.5V 2917
- MGA-665P8-BLK
RF 放大器
Avago Technologies US Inc.
8-WFDFN 裸露焊盘
IC AMP MMIC LNA GAAS 3V 8-LPCC
- MIC2185YQS
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
Micrel Inc
16-SSOP（0.154＂，3.90mm 宽）
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Renesas Electronics America
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
MOSFET P-CH -40V -50A TO-252
- HMK432B7225KM-T
陶瓷
Taiyo Yuden
1812（4532 公制）
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1210（3528 公制）
CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210
- P1168.823NLT
固定式
Pulse Electronics Corporation
非标准
INDUCTOR PWR SHIELD 82UH SMD
- NSBC124EPDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
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SOT-563，SOT-666
TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
- NOJF157M006RWJ
氧化铌
AVX Corporation
2312（6032 公制）
CAP NIOB OXIDE 150UF 6.3V 2312
- MGA-68563-TR1G
RF 放大器
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6-TSSOP，SC-88，SOT-363
IC AMP LNA MMIC GAAS SMD SOT-363
- NP52N06SLG-E1-AY
FET - 单
Renesas Electronics America
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
MOSFET N-CH 60V 52A TO252
- MIC2198YML TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
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12-VFDFN 裸焊盘，12-MLF?
IC REG CTRLR BUCK PWM CM 12-MLF
- HMK432B7225KM-T
陶瓷
Taiyo Yuden
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- NOJC107M002SWJ
氧化铌
AVX Corporation
2312（6032 公制）
CAP NIOB OXIDE 100UF 2.5V 2312
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氧化铌
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0805（2012 公制）
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氧化铌
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CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2312
- HMK432B7474KM-T
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1812（4532 公制）
CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1812
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- P1169.223NLT
固定式
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- NOJP225M010RWJ
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CAP NIOB OXIDE 2.2UF 10V 0805
- MIC2199YML TR
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12-VFDFN 裸焊盘，12-MLF?
IC REG CTRLR BUCK PWM CM 12-MLF
- NP5-MQ000
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TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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1812（4532 公制）
CONN EDGECARD 4POS DIP .156 SLD
- NOJC336M006RWJ
氧化铌
AVX Corporation
2312（6032 公制）
CAP NIOB OXIDE 33UF 6.3V 2312
- P1170.222NLT
固定式
Pulse Electronics Corporation
非标准
INDUCTOR PWR SHIELD 2.2UH SMD
- MGA-81563-BLKG
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Avago Technologies US Inc.
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
IC AMP MMIC GAAS 3V SOT-363
- NOJS106M004RWJ
氧化铌
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1206（3216 公制）
CAP NIOB OXIDE 10UF 4V 1206
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- NP5-MQ000
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TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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- NSBC143ZDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
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TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- HMM03DRXN
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1812（4532 公制）
CONN EDGECARD 6POS DIP .156 SLD
- NOJC686M006RWJ
氧化铌
AVX Corporation
2312（6032 公制）
CAP NIOB OXIDE 68UF 6.3V 2312
- P1170.333NLT
固定式
Pulse Electronics Corporation
非标准
INDUCTOR PWR SHIELD 33UH SMD
